Anupam Glorious Lobo

Ohutkalvojen ja muiden puolijohdemateriaalien paikallisen sähkönjohtavuuden ja pinnan topografian samanaikainen kartoitus johtavalla atomivoimamikroskoopilla (C-AFM). Mittauksessa näyte skannataan sähköä johtavalla materiaalilla päällystetyllä mittauskärjellä, ja tuloksena saadaan kartta, jossa näkyvät niin pinnan korkeuserot kuin sähkönjohtavuus eri puolilla näytekappaletta.

Leviämisvastusmittaus (SRP, spreading resistance profiling) resistiivisyyden ja varauksenkuljettajien pitoisuuden syvyysjakauman määrittämiseen piipohjaisissa puolijohderakenteissa. Menetelmällä voidaan paikantaa tarkasti pn-liitokset ja varmistaa eri rakennekerrosten seostusprofiilit. Näyte hiotaan loivaan viistekulmaan (0,5–5°) syvyysskaalan suurentamiseksi, ja kahta volframikarbidianturia liikutetaan askeleittain hiottua pintaa pitkin kontrolloidulla paineella. Mitattu leviämisvastus muunnetaan varauksenkuljettajien pitoisuudeksi kalibrointikäyrien avulla, ja tulokset raportoidaan kuvaajina, joissa sähköinen resistanssi (Ω), resistiivisyys (Ω∙cm) ja varauksenkuljettajien pitoisuus (cm⁻³) esitetään syvyyden (nm tai µm) funktiona. Sivulla näkyvä esimerkkihinta sisältää viistekulman hiomisen ja SRP-mittauksen yhdestä kuvioimattomasta puolijohdenäytteestä. Myös kuvioituja näytteitä voidaan analysoida, ja lisävalmistelu (esim. pintakerroksen irrotus) on saatavilla pyydettäessä. Mittaus voidaan yhdistää muihin palveluihin, kuten kidesuunnan määritykseen XRD:llä ja kemialliseen koostumusanalyysiin SIMS-menetelmällä. Pyydä tarjous täyttämällä alta löytyvä lomake.

Puolijohdenäytteiden sähköinen in situ -karakterisointi EBIC-menetelmällä (engl. electron beam induced current) mahdollistaa sähköisesti aktiivisten vikojen suoran kuvantamisen. Analyysissa näytteeseen kohdistetaan elektronisuihku, joka synnyttää materiaaliin elektroni-aukkoparin. Syntyvä vähemmistövarauksenkuljettajavirta kartoitetaan pikseli pikseliltä ja yhdistetään samanaikaisesti hankittuihin SEM-kuviin. Näin sähköisesti aktiiviset viat, liitokset ja raerajat voidaan paikantaa alle mikrometrin tarkkuudella. Elektronisuihkun kiihdytysjännite on säädettävissä (tyypiliisin väli 0,2–20 kV), ja lämpötila voidaan valita −40 °C – 200 °C väliltä. Ennen analyysiä näytteeseen kasvatetaan ohminen tai Schottky-kontakti (esim. ohut Au-, Al- tai Ti/Au-kerros) varauksenkuljettajien keräämiseksi. Poikkileikkausnäytteen valmistaminen onnistuu tarvittaessa FIB-menetelmällä. Sivulla näkyvä hintaesimerkki koskee 28 nm:n prosessiteknologialla valmistetun paljaan piisirun EBIC-kartoitusta. Pyydä tarjous omille näytteillenne täyttämällä alta löytyvä lomake.